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設備產品

原子層沉積設備

原子層沉積(ALD)為一種氣相化學沉積技術。大多數的ALD反應,將使用兩種化學物質稱為前驅物。這些前驅物以連續且自限的方式與材料表面進行反應。通過ALD循環的次數,緩慢的沉積薄膜。而熱沉積式的ALD需要較高的製程溫度(傳統為150~350oC)。

 

SYSKEY的系統可以精準的控制ALD的製程,薄膜的厚度和均勻度皆小於+/- 1%。

                        批量式的ALD

 

應用領域 腔體
  • 高k值之氧化物
  • OLED和矽太陽能電池的鈍化層
  • 微機電系統
  • 納米電子學
  • 納米孔結構薄膜
  • 光學薄膜
  • 薄膜封裝技術
  • 鋁腔或者不銹鋼腔體,其佔地面積小,可縮短製程時間
  • 通過使用水冷系統、加熱器或加熱包來控制腔體溫度

 

 

配置和優點 選件
  • 客製化的基板尺寸,最大直徑可達300mm晶圓
  • 優異的薄膜均勻度小於±1%
  • 較高的深寬比和複雜結構具有相同特性之薄膜沉積。
  • 薄膜具有高緻密性
  • 前驅物材料可多達6種並可分別加熱到200°C
  • 快速脈衝的氣體輸送閥,反應時間為10毫秒
  • 通過穩定的溫度控制,將基板載台加熱到400°C
  • 材料:Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2, TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt…等等
  • 可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起
  • 橢圓偏振光譜儀
  • 高真空傳送系統。