Установка атомно-слоевого осаждения представляет собой метод парофазного химического осаждения. Это один из способов химического осаждения из газовой фазы. В большинстве реакций ALD в качестве прекурсоров используются два химических вещества. Эти прекурсоры взаимодействуют с поверхностью материала непрерывным и самоограничивающимся образом. За счёт повторяемого взаимодействия с прекурсором медленно осаждается тонкая пленка. Для термического атомно-слоевого осаждения требуются относительно высокие температуры (обычно 150-350 °С). 

Установка от компании Syskey может контролировать процесс ALD,толщину пленки, а однородность составляет менее ±1%.

Однородность по толщине (WIW):

Для нанесения пленок Al2O3 и HfO2 с целевой толщиной в 5 нм были использованы пластины диаметром 12 дюйм (300 мм). С помощью эллипсометра были проведены измерения в 27 точках и применена формула стандартного распределения. Результат оказался в пределах ± 0,5 нм и 5% неоднородности.

Al2O3 Однородность=1.58%	HlfO2 Однородность=1.27%

Диэлектрическая постоянная и работа выхода:

На трех подготовленных кремниевых пластинах было произведено осаждение структур Al2O3 / TiN и химоксид / HfO2 / TiN с заданными толщинами. Результаты расчета диэлектрической постоянной и тока утечки на основании полученных измерений диаграмм напряжения и тока трех образцов: диэлектрическая константа находится в пределах 7 ~ 9 (Al2O3) и 18 ~ 22 (HfO2), ток утечки не превышает 1 нA (при 1В).

---

Область применения	Вакуумная камера
High-k оксиды для затвора МОП-транзистора. Пассивация на кристаллическом кремнии солнечных панелей и OLED. МЭМС. Наноэлектроника. Напыление нанопористых структур. Оптические активные плёнки. Корпусирование.	Камера из алюминия или нержавеющей стали малых габаритов для быстрого цикла. Управление температурой камеры за счёт нагреваемого кожуха.
Конфигурации и преимущества	Опции
Различный размер пластин диаметром до 300 мм. Отличная равномерность плёнок - менее ±1%. Высокая конформность с обработкой при высоком аспектном соотношении и сложных структурах. До 6 источников прекурсоров с раздельным нагревом до 200 °C. Быстрые импульсные клапана для доставки газа с временем отклика в 10 мс. Нагрев подложки до 400 °C. Материалы для напыления: Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2 , SiO2 , TiO2 , GaO2,AlN,SiN,Pt…	Интеграция со шлюзовой камерой (одиночная загрузка, кассета в кассету), перчаточной камерой. Порты для спектроскопического эллипсометра. Кластер для переноса подложек в вакууме.