化學氣相沉積系統

CVD 作為化學氣相沉積法，是將基板暴露於一種或多種揮發性氣體中，在基板表面上反應或分解以產生所需薄膜沉積的過程。這種方法通常用於在真空環境中製造高質量，高性能的固體材料。因此，該工藝通常在半導體工業中用於製造薄膜。

 Figure 1: 化學氣相沉積涉及的步驟

在典型的CVD中，將製程氣體在環境溫度下進料到反應室中。當它們與加熱中的基板接觸時，它們發生反應或分解以形成薄膜，並沉積在基板上。在此過程中，還會產生具有揮發性的副產物，這些副產物會被流過反應室的氣流除去。基板溫度非常重要，會影響腔室內製程的反應。                                                                                                                                                      

  Figure 2: 示意圖-化學氣相沉積涉及的步驟