電漿輔助式化學氣相沉積設備

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電漿輔助式化學氣相沉積（PECVD）是一種使用電漿的化學氣相沉積(CVD)技術，可為沉積反應提供一些能量。與傳統的CVD方法相比，PECVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會降低薄膜質量。

PECVD比半導體行業中的其他CVD技術更廣泛地使用，且可以在較低的工作溫度（低於350°C）下沉積薄膜，並具有不同形狀的均勻沉積與良好的覆蓋率。SYSKEY的系統可以精準的控制製程氣體與監控其數據(壓力、載台溫度)，並提供高品質的薄膜。

　　　　　　　　PECVD 與 RIE　　　　　　　　　　　　　　PECVD 與 PEALD

　　我們也開發不同機器但共用零組件，以達到節省成本。

應用领域	腔體
電漿清洗。 SiO_x、SiN_x、a-Si、DLC和其他薄膜。防刮顯示屏。醫療和商業產品的耐磨薄膜。封裝，絕緣層。	鋁或不銹鋼腔體或石英腔，佔地面積小。通過使用水冷系統、加熱器或加熱器包來控制腔體溫度。
配置和優點	選件
客製化的基板尺寸，最大直徑可達12寸晶圓。單載片或多載片。優異的薄膜均勻度小於±3％。精準流量控制器，氣體分佈高度均勻，最多可擴充10條氣體管線。穩定的溫度控制，可將載盤加熱至400°C。使用電容式耦合電漿（CCP）。	可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。 RPS用於腔體清潔。發射光譜儀。高真空傳送系統。