濺鍍沉積為一種物理氣相沉積方法，通過從靶材濺鍍出材料，然後沉積至基板上來形成薄膜。在這種技術中，用氬氣或氮氣等離子轟擊靶材，並將基板以適當的距離放置在靶材的前面。優點在於能在較低的溫度下至被高熔點材料的薄膜。

磁控共濺鍍指同時有兩個或多個磁控濺鍍槍，濺鍍於被鍍物上。磁控共濺鍍主要用於複合金屬或材料，通https://www.syskey.com.tw/WebAdmin/index.php?type=web&do=info&cn=product_category&id=2#tabs-1過分別優化每一支磁控濺鍍槍的功率控制薄膜品質，其薄膜厚度取決於濺鍍時間。共濺鍍系統優點在於能夠同時利用多個靶材進行製程，可針對個別材料進行參數調整

超高真空環境為其真空壓力低於10的-8至10的-12 Torr，真空環境對於研究非常重要，表面應保持無污染並使用較低能量的電子和離子的實驗技術使用。

在單一材料薄膜無法滿足所需規格的精密系統中，多層膜的作用變得越來越重要。因此薄膜的精確控制製程已成為當前多層薄膜研究的方向。SYSKEY多層膜磁控濺鍍系統擁有基板公自轉機構，可實現精準的多層膜結構並可以一次批量生產。

In-Line的濺鍍沉積是指基板在一個或多個濺鍍陰極下方以線性的方式通過以獲取其薄膜沉積。其基板沿著軌道穿過各個真空腔內。目前多應用於抗電磁波、產品裝飾膜、被動元件、觸控屏、彩色慮光片、顯示器、薄膜太陽能電池等。

隨著LCD面板和製造所需玻璃的尺寸的增加，製造設備也變得更大，需要越來越大的設備投資。SYSKEY針對中小尺寸的需求開發串集的PVD 設備，擁有4個單獨的濺鍍腔體，讓客戶能任意搭配沉積的材料，同時保有彈性和低價的系統。

熱蒸發製程是用於沉積材料中最簡單的物理氣相沉積。將材料置於真空環境中的蒸發源中，使其加熱並蒸發，以最直接的方式蒸發到基板上，然後在基板上凝結成固體形成薄膜。熱蒸發比濺鍍提供更快的蒸發速率，但其容納材料的乘載器尺寸有限，並且難以控制其蒸發速率。

熱蒸發為PVD最簡單的形式之一，其中以電阻式加熱法最為常見的。優點為它們可以提供一種簡單的薄膜沉積方法，主要做法為選用較高的熔點材料做為乘載舟，再將預鍍之材料放置在舟上，然後加上正負電壓於舟兩端，進而進行加熱。

有機材料熱沉積系統使用高精準熱蒸發源作為加熱源，並使用金屬、石英、陶瓷或PBN坩堝來容納有機材料以及使用PID控制器來控制其沉積速率。該系統通常用於有機電子研究領域，例如OPV、OLED、OPD...

電子束蒸發系統為一種物理氣相沉積（PVD）技術，其技術比熱蒸發更具有優勢。它能夠在非常高的溫度下熔化材料，如鎢、石墨...等等。結合石英震盪片的反饋信號，可輕鬆控制蒸發速率，以調節電子束電流並蒸發更多材料而不會破壞真空。

電子束蒸發其電子束是由鎢絲所產生，並受到電場和磁場的驅動而朝向蒸發材料，當電子與材料撞擊時，電子的動能將轉換成熱能，及加熱材料，使材料由固態轉化為氣態以沉積在基板表面上。且該過程需在高真空環境中，通過自由路徑的方式在基板表面上形成薄膜。

超高真空環境為其真空壓力低於10的-8至10的-12 Torr，真空環境對於研究非常重要，表面應保持無污染並使用較低能量的電子和離子的實驗技術使用。

在半導體製程中，當遇到不易使用蝕刻方式來完成想要的電路圖案時，就可以採用 Lift-Off製程來做出想要的金屬圖案。在此過程中，電子束蒸發於在基板表面上沉積所需的薄膜層於犧牲層與基材上，最終在洗去其犧牲層，以得到其電路圖案。

化學氣相沉積為一種製備於高純度、高性能的固態材料的化學技術。因此，該製成通常在半導體工業中製備薄膜，而所沉積的材料包誇:鑽石、矽、碳纖維、奈米線、奈米碳管、SiO2、鎢以及具有High-K特性的材料。

PECVD的原理為，在於兩個電極板之間施加一個電壓，此電壓會將位於兩個電極板之間的氣體解離，進而產生電漿，此電漿態的氣體有助於化學反應，並沉積於基板上。

低真空化學氣相沉積是一種化學氣相沉積技術，利用熱能在基板表面上引發前驅氣體的反應。表面反應是形成固化材料的原因。低真空用於減少氣相反應，還可提高整個基材的均勻性。此外，該過程取決於溫度控制，過程溫度越高，維持性越好。

ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不會降低薄膜質量。因使用ICP做為電漿源，有電漿濃度較高、能量損耗較低、功率較大與反應速率較高等優點。

SYSKEY針對中小尺寸的需求開發串集的PVD 設備，擁有4個單獨的濺鍍腔體，讓客戶能任意搭配沉積的材料，同時保有彈性和低價的系統。

ALD反應為使用兩種或更多種稱為前驅物的化學物質（也稱為〝反應物〞）。這些前驅物以一種具有連續性，且自我限制的方式與一種材料的表面產生反應。通過ALD循環的次數，薄膜會緩慢的沉積。

加熱式原子層沉積為一種氣相化學沉積技術。大多數的ALD反應，將使用兩種化學物質稱為前驅物。這些前驅物以連續且自限的方式與材料表面進行反應。通過ALD循環的次數，緩慢的沉積薄膜。而熱沉積式的ALD需要較高的製程溫度(傳統為150~350 oC)。

電漿輔助式原子級沉積是一種利用電漿作為裂化前驅物材料的條件，而不是僅依靠來自加熱基板的熱能。製程中只需靠電漿來進行裂化前驅物材料，可不受前驅物反應溫度之限制，於低溫成長高緻密性及低雜質的高品質薄膜。

蝕刻技術大致上可分成兩種，乾式蝕刻與濕式蝕刻。濕式蝕刻中為使用化學藥劑，經過化學反應以達到蝕刻之目的；乾式蝕刻為一種電漿式蝕刻，其原理為電漿中離子撞擊試片的物理動作或者為電漿中的自由基與試片表面的薄膜產生化學反應。

反應離子蝕刻中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，並具有重複性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。因此，RIE製程是化學物理蝕刻製程，也是半導體製造中用於構造各種薄膜的最重要製程。

感應耦合電漿由磁場圍繞石英晶體管所提供。產生的高密度電漿被線圈包圍，將充當變壓器中的次級線圈，加速電子和離子，從而引起碰撞，產生更多的離子和電子。高密度的電漿和低真空度增強了具有非等向性的高蝕刻速率。

原子層蝕刻是一種先進的蝕刻技術，可精準的控制其蝕刻深度。隨著元件尺寸的減小，需要進一步的使用ALE才能達到其所需的精度，該技術克服了原子級常規蝕刻的局限性。基於電漿的原子層蝕刻是氣體以定量注入和離子轟擊的周期性蝕刻過程，並具有去除單個薄膜層、極低的損壞率等優點。