連續式多腔磁控濺鍍設備

OLEDs / Display

OPV / Perovskite Solar-Cell

Semiconductors

Physical / Material research

In-Line的濺鍍沉積是指基板在一個或多個濺鍍陰極下方以線性的方式通過以獲取其薄膜沉積。其基板沿著軌道穿過各個真空腔內。

其電漿產生器有許多種類並且每一種都可使用，例如射頻電源、直流電源或脈衝直流電源。還可以容納諸如濺鍍蝕刻、基板加熱或電漿清洗之類的可選步驟，並且具有完整的儀器和控制裝置可用於金屬導電薄膜、電介質、光學薄膜或其他濺鍍應用。

SYSKEY的In-Line濺鍍沉積可精確控制其濺鍍製程條件，從而為客戶提供最優質的薄膜。

應用領域	腔體
奈米研究技術。產品質量控制和質量檢查。材料研究。太陽能電池。觸碰螢幕。 TFT-LCD。氧化物、氮化物和金屬材料的研究。	客製化的腔體尺寸取決於基板尺寸和其應用。具有顯示功能的全領域真空計和用於壓力控制的Baratron真空計。腔體的極限真空度約為10^-7Torr。
配置和優點	選件
客製化基板尺寸最大為1100 x 1300 mm²(玻璃)。優異的薄膜均勻度小於±5％。高沉積速率≥ 250nm/min和高效率陰極。濺鍍功率：射頻 5kW，直流或脈衝直流20kW。具有高均勻的氣體分佈的流量控制器。穩定的溫度控制，可將基板加熱到400°C。水平或垂直濺鍍。	基板載台回流線。自動傳送機構。 OES、RGA或製程監控的額外備用端口。