磁控共濺鍍設備

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Semiconductors

Physical / Material research

磁控共濺鍍是指同時有兩個或多個磁控濺鍍槍，濺鍍於被鍍物上。磁控共濺鍍主要用於-複合金屬或複合材料，通過分別優化每一支磁控濺鍍槍（靶材）的功率來控制薄膜品質，其薄膜厚度取決於濺鍍時間。

SYSKEY的磁控共濺鍍腔提供了精準控制多個磁控濺鍍的製程條件，為客戶提供最好品質的複合式薄膜。

SYSKEY的濺鍍腔中，有單片和多片式的loading chamber，可節省其製程腔體的抽氣時間，進而節省整體實驗時間。

SYSKEY的濺鍍腔中，在載台部分可獨立施打偏壓，對其基板進行清潔與增加材料的附著性等功能。

離子源可用於基板清潔和加速鍍膜材料的濺射速率，並且離子源在材料沉積過程中可幫助沉積並使沉積後的薄膜更為緻密。

應用領域	腔體
半導體類。納米科技。產品質量控制和質量檢查。氧化物、氮化物和金屬材料的研究。太陽能電池。光學研究。材料研究。	客製化的腔體尺寸取決於基板尺寸和其應用。寬大的前開式門，並有兩個視窗和視窗遮版，用於觀察基材和濺鍍源。具有顯示功能的全領域真空計和用於壓力控制的Baratron真空計。腔體的極限真空度約10^-8Torr。
配置和優點	選件
客製化基板尺寸，最大直徑可達12寸晶圓。優異的薄膜均勻度小於±3％。磁控濺鍍源（最多8個源），具有多種可選的靶材尺寸。具有順序操作或共沉積的多個濺鍍源。射頻、直流或脈衝直流，分別用於非導電與導電靶材。精準流量控制器（最多4條氣體管線）。基板可加熱到1000°C。基材到靶材之間距為可調節的。每個濺鍍源和基板均安裝遮板。	可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。結合離子源、熱蒸發源，電子束...等等。基板射頻或直流偏壓。膜厚監測儀。射頻等離子清潔用於基材。 OES、RGA或製程監控的額外備用端口。