蝕刻技術大致上可分成兩種，乾式蝕刻與濕式蝕刻。濕式蝕刻中為使用化學藥劑，經過化學反應以達到蝕刻之目的；乾式蝕刻為一種電漿式蝕刻，其原理為電漿中離子撞擊試片的物理動作或者為電漿中的自由基與試片表面的薄膜產生化學反應。

反應離子蝕刻中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，並具有重複性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。因此，RIE製程是化學物理蝕刻製程，也是半導體製造中用於構造各種薄膜的最重要製程。

原子層蝕刻是一種先進的蝕刻技術，可精準的控制其蝕刻深度。隨著元件尺寸的減小，需要進一步的使用ALE才能達到其所需的精度，該技術克服了原子級常規蝕刻的局限性。基於電漿的原子層蝕刻是氣體以定量注入和離子轟擊的周期性蝕刻過程，並具有去除單個薄膜層、極低的損壞率等優點。