對於有些金屬，我們很難使用蝕刻(Etching)方式來完成想要的電路圖案(Circuit Pattern)時，就可以採用 Lift-Off製程來做出想要的金屬圖案。在此過程中，電子束蒸發於在基板表面上沉積所需的薄膜層於犧牲層與基材上，最終在洗去其犧牲層，以得到其電路圖案。

針對Lift-Off製程設計載台水冷或液態氮冷卻。

 

由於SYSKEY的系統可以精準的控制蒸發速度，因此薄膜厚度和均勻度皆小於+/- 3％。

Lift-Off製程步驟：

 

1.準備基板。
2.犧牲薄膜層的沉積。
3.對犧牲層進行圖案化（例如蝕刻），以形成反向圖案。
4.沉積目標材料。
5.洗去犧牲層以及目標材料的表面。
6.最終圖案層：
①基材
②犧牲層
③目標材料

 

 

 

 

 

 

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應用领域	腔體
Lift-Off製程。	客製化的腔體尺寸取決於基板尺寸和其應用。 腔體最高可至650 mm。 腔體的極限真空度約為10-8 Torr。
配置和優點	選件
客製化的基板尺寸，最大直徑可達12寸晶圓。 優異的薄膜均勻度小於±3％。 水冷坩堝的多組坩鍋旋轉電子束源（1/2/4/6坩堝）。 自動鍍膜系統。 具有順序操作或共沉積的多個電子束源。 基板具有冷卻（液態氮溫度低至-70°C）功能。	可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。