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低真空化學氣相沉積設備

OLEDs / Display

OPV / Perovskite Solar-Cell

Semiconductors

Physical / Material research

低真空化學氣相沉積（LPCVD）是一種化學氣相沉積技術，利用熱能在基板表面上引發前驅氣體的反應。表面的反應是形成固化材料的原因。低真空用於減少氣相反應，還可以提高整個基板的均勻性。除此之外，該過程取決於溫度控制，過程溫度越高，維持性越好。與大氣壓下的傳統CVD製程相比，LPCVD的優勢在於：每批製程可裝載更多的晶圓（每批100-200個晶圓）、晶圓內的厚度均勻性得到了改善（<±3％），並且降低生產成本。

SYSKEY的系統可以精準的控制製程氣體與監控其數據(壓力、載台溫度)，並提供高品質的薄膜。

應用领域	腔體
碳納米管和石墨烯的製程。 SiO_x、SiN_x、a-Si、DLC和其他薄膜製程。熱退火。擴散製程。氧化製程。	加熱爐配置：水平或垂直，結合傳送機構。
配置和優點	選件
客製化的基板尺寸，最大直徑可達8寸晶圓。單載片或多載片。優異的薄膜均勻度小於±5％。精準流量控制器，氣體分佈高度均勻，最多可容納10條氣體管線。穩定的溫度控制，可將載盤加熱至1700°C。	可以與傳送腔(單載台或多載台)整合在一起。