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設備產品

低真空化學氣相沉積設備

 

低真空化學氣相沉積(LPCVD)是一種化學氣相沉積技術,利用熱能在基板表面上引發前驅氣體的反應。表面的反應是形成固化材料的原因。低真空用於減少氣相反應,還可以提高整個基板的均勻性。除此之外,該過程取決於溫度控制,過程溫度越高,維持性越好。與大氣壓下的傳統CVD製程相比,LPCVD的優勢在於:每批製程可裝載更多的晶圓(每批100-200個晶圓)、晶圓內的厚度均勻性得到了改善(<±3%),並且降低生產成本。

SYSKEY的系統可以精準的控制製程氣體與監控其數據(壓力、載台溫度),並提供高品質的薄膜。

 

 


 

應用领域 腔體
  • 碳納米管和石墨烯的製程
  • SiOx、SiNx、a-Si、DLC和其他薄膜製程
  • 熱退火
  • 擴散製程
  • 氧化製程
  • 加熱爐配置:水平或垂直,結合傳送機構。

 

 

配置和優點 選件
  • 客製化的基板尺寸,最大直徑可達8寸晶圓
  • 單載片或多載片
  • 優異的薄膜均勻度小於±5%
  • 精準流量控制器,氣體分佈高度均勻,最多可容納10條氣體管線
  • 穩定的溫度控制,可將載盤加熱至1700°C。
  • 可以與傳送腔(單載台或多載台)整合在一起