類鑽膜(Diamond-like Carbon，DLC)由高濃度之sp3鍵結(鑽石，Diamond)與低濃度的sp2鍵結(石墨，Graphite)所結合而成。

批量式電漿輔助氣相沉積系統為一種使用化學氣相沉積技術，可為沉積反應提供能量。

ALD反應為使用兩種或更多種稱為前驅物的化學物質（也稱為〝反應物〞）。這些前驅物以一種具有連續性，且自我限制的方式與一種材料的表面產生反應。通過ALD循環的次數，薄膜會緩慢的沉積。

加熱式原子層沉積為一種氣相化學沉積技術。大多數的ALD反應，將使用兩種化學物質稱為前驅物。這些前驅物以連續且自限的方式與材料表面進行反應。通過ALD循環的次數，緩慢的沉積薄膜。而熱沉積式的ALD需要較高的製程溫度(傳統為150~350 oC)。

電漿輔助式原子級沉積是一種利用電漿作為裂化前驅物材料的條件，而不是僅依靠來自加熱基板的熱能。製程中只需靠電漿來進行裂化前驅物材料，可不受前驅物反應溫度之限制，於低溫成長高緻密性及低雜質的高品質薄膜。

蝕刻技術大致上可分成兩種，乾式蝕刻與濕式蝕刻。濕式蝕刻中為使用化學藥劑，經過化學反應以達到蝕刻之目的；乾式蝕刻為一種電漿式蝕刻，其原理為電漿中離子撞擊試片的物理動作或者為電漿中的自由基與試片表面的薄膜產生化學反應。

反應離子蝕刻中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，並具有重複性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。因此，RIE製程是化學物理蝕刻製程，也是半導體製造中用於構造各種薄膜的最重要製程。

感應耦合電漿由磁場圍繞石英晶體管所提供。產生的高密度電漿被線圈包圍，將充當變壓器中的次級線圈，加速電子和離子，從而引起碰撞，產生更多的離子和電子。高密度的電漿和低真空度增強了具有非等向性的高蝕刻速率。

原子層蝕刻是一種先進的蝕刻技術，可精準的控制其蝕刻深度。隨著元件尺寸的減小，需要進一步的使用ALE才能達到其所需的精度，該技術克服了原子級常規蝕刻的局限性。基於電漿的原子層蝕刻是氣體以定量注入和離子轟擊的周期性蝕刻過程，並具有去除單個薄膜層、極低的損壞率等優點。