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設備產品

剝離成形電子束設備

     

對於有些金屬,我們很難使用蝕刻(Etching)方式來完成想要的電路圖案(Circuit Pattern)時,就可以採用 Lift-Off製程來做出想要的金屬圖案。在此過程中,電子束蒸發於在基板表面上沉積所需的薄膜層於犧牲層與基材上,最終在洗去其犧牲層,以得到其電路圖案。由於SYSKEY的系統可以精準的控制蒸發速度,因此薄膜厚度和均勻度皆小於+/- 3%

 針對Lift-Off製程設計載台水冷或液態氮冷卻。

Lift-Off製程步驟:

 

1.準備基板
2.犧牲薄膜層的沉積
3.對犧牲層進行圖案化(例如蝕刻),以形成反向圖案
4.沉積目標材料
5.洗去犧牲層以及目標材料的表面
6.最終圖案層:
①基材
②犧牲層
③目標材料

 

 

 

 

 

 


應用领域 腔體
  • Lift-Off製程

 

  • 客製化的腔體尺寸取決於基板尺寸和其應用
  • 腔體最高可至650 mm。
  • 腔體的極限真空度約為10-8 Torr
配置和優點 選件
  • 客製化的基板尺寸,最大直徑可達12寸晶圓
  • 優異的薄膜均勻度小於±3%
  • 水冷坩堝的多組坩鍋旋轉電子束源(1/2/4/6坩堝)
  • 自動鍍膜系統
  • 具有順序操作或共沉積的多個電子束源
  • 基板具有冷卻(液態氮溫度低至-70°C)功能。
  • 可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。