電子束蒸發系統為一種物理氣相沉積（PVD）技術，其技術比熱蒸發更具有優勢。它能夠在非常高的溫度下熔化材料，如鎢、石墨...等等。結合石英震盪片的反饋信號，可輕鬆控制蒸發速率，以調節電子束電流並蒸發更多材料而不會破壞真空。

電子束蒸發其電子束是由鎢絲所產生，並受到電場和磁場的驅動而朝向蒸發材料，當電子與材料撞擊時，電子的動能將轉換成熱能，及加熱材料，使材料由固態轉化為氣態以沉積在基板表面上。且該過程需在高真空環境中，通過自由路徑的方式在基板表面上形成薄膜。

超高真空環境為其真空壓力低於10的-8至10的-12 Torr，真空環境對於研究非常重要，表面應保持無污染並使用較低能量的電子和離子的實驗技術使用。

在半導體製程中，當遇到不易使用蝕刻方式來完成想要的電路圖案時，就可以採用 Lift-Off製程來做出想要的金屬圖案。在此過程中，電子束蒸發於在基板表面上沉積所需的薄膜層於犧牲層與基材上，最終在洗去其犧牲層，以得到其電路圖案。

化學氣相沉積為一種製備於高純度、高性能的固態材料的化學技術。因此，該製成通常在半導體工業中製備薄膜，而所沉積的材料包誇:鑽石、矽、碳纖維、奈米線、奈米碳管、SiO2、鎢以及具有High-K特性的材料。

PECVD的原理為，在於兩個電極板之間施加一個電壓，此電壓會將位於兩個電極板之間的氣體解離，進而產生電漿，此電漿態的氣體有助於化學反應，並沉積於基板上。

低真空化學氣相沉積是一種化學氣相沉積技術，利用熱能在基板表面上引發前驅氣體的反應。表面反應是形成固化材料的原因。低真空用於減少氣相反應，還可提高整個基材的均勻性。此外，該過程取決於溫度控制，過程溫度越高，維持性越好。

ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不會降低薄膜質量。因使用ICP做為電漿源，有電漿濃度較高、能量損耗較低、功率較大與反應速率較高等優點。

SYSKEY針對中小尺寸的需求開發串集的PVD 設備，擁有4個單獨的濺鍍腔體，讓客戶能任意搭配沉積的材料，同時保有彈性和低價的系統。