CVD Химическое осаждение из газовой фазы — это процесс осаждения, при котором подложка подвергается воздействию одного или нескольких прекурсоров, реагирующих и/или разлагающихся на поверхности для создания тонкой плёнки. Данный метод часто используется для изготовления высококачественных тонких пленок в вакуумной среде, и часто применяется в полупроводниковой промышленности. 

 Рисунок 1: этапы химического осаждения из газовой фазы

В типичном CVD газы-прекурсоры (часто разбавленные в газе-носителе) подаются в камеру при температуре окружающей среды. Когда они вступают в контакт с нагретой подложкой, то реагируют или разлагаются и осаждаются на подложку в результате образования твердой фазы. В ходе этого процесса также образуются летучие продукты реакции, которые удаляются в выхлопную систему рабочей камеры. Для данного процесса очень важным является точность поддержания температуры подложки.                                                                                                                                                 

  Рисунок 2: Схематическая диаграмма этапов процесса CVD