退火爐是用於製造半導體元件的製程方法。該製程包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理旨在達到不同的效果。可以加熱晶片以激活摻雜劑，使沉積的膜緻密化，並改變生長的膜的狀態。暴露在高溫下可以修復損壞。該過程稱為退火。 爐子退火可以集成到其他爐子處理步驟中，例如氧化，也可以單獨處理。

 

 

 

 

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應用領域	腔體
半導體。 MEMs。 納米技術。 LED。 太陽能電池產業。 平板顯示器。	通過使用加熱線圈和水冷不銹鋼法蘭來控製石英管的溫度。 爐管配置：水平，結合傳送機構。 帶有視窗的手動爐門。
配置和優點	選件
石英管尺寸：最大12英寸。 單載片或多載片（最多50個晶圓）。 控制精度：<±1°C。 製程氣體：N2、Ar、H2。 最高溫度：最高1700°C。 抽氣閥件前端會有冷凍捕捉器。 易於清潔和維護。	和自動傳送組成在一起。