化學氣相沉積為一種製備於高純度、高性能的固態材料的化學技術。因此，該製成通常在半導體工業中製備薄膜，而所沉積的材料包誇:鑽石、矽、碳纖維、奈米線、奈米碳管、SiO2、鎢以及具有High-K特性的材料。

PECVD的原理為，在於兩個電極板之間施加一個電壓，此電壓會將位於兩個電極板之間的氣體解離，進而產生電漿，此電漿態的氣體有助於化學反應，並沉積於基板上。

低真空化學氣相沉積是一種化學氣相沉積技術，利用熱能在基板表面上引發前驅氣體的反應。表面反應是形成固化材料的原因。低真空用於減少氣相反應，還可提高整個基材的均勻性。此外，該過程取決於溫度控制，過程溫度越高，維持性越好。

ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不會降低薄膜質量。因使用ICP做為電漿源，有電漿濃度較高、能量損耗較低、功率較大與反應速率較高等優點。

類鑽膜(Diamond-like Carbon，DLC)由高濃度之sp3鍵結(鑽石，Diamond)與低濃度的sp2鍵結(石墨，Graphite)所結合而成。

批量式電漿輔助氣相沉積系統為一種使用化學氣相沉積技術，可為沉積反應提供能量。