離子束蝕刻 (IBE) 是一種先進的蝕刻技術，利用離子源以卓越的均勻性和精度從基板表面去除材料。 IBE 可應用於多種材料，包括金屬、氧化物、半導體和有機化合物。

這種蝕刻方法涉及使用帶電粒子（通常是氬離子）的高能量束，以物理方式去除樣品表面的材料。

這些離子在離子源中產生，透過電場加速到高能量，然後使用磁性或靜電透鏡聚焦成束。當離子束射向樣品表面時，它會與材料中的原子碰撞，導致它們從表面噴射出來。透過調節離子束的能量和瞄準的角度，可以精確控制蝕刻過程。

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配置和優點	選件
可實現高蝕刻速率和低速率控制 採用均勻平行光束實現高度均勻蝕刻 為先進研究應用的彈性配置 彈性的晶片處理能力 - 開放式取放、單晶片傳送腔或cassette-to-cassette使用機械手臂傳送 產生可以控制的非等向性蝕刻(anisotropic etching) 由於蝕刻束相對於樣品表面的角度可變，因此可以控制角度輪廓	蝕刻終點偵測（OES，激光）相容性。 可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。 基板尺寸(最大) : 200 mm 基板溫度 : -20 °C to 80 °C 晶背氦氣冷卻 : 氦氣背冷壓力最大 50Torr  (選配) 基板傾斜角度 : 傾斜角度從 0° 到 170° 精度0.1°  基板旋轉速度 : 最大20 RPM 基板傳送 : 手動或機械手臂自動傳送