電漿原子層沉積設備
電漿輔助式原子級沉積(PEALD)是一種基於常規ALD的先進方法,其利用電漿作為裂化前驅物材料的條件,而不是僅依靠來自加熱基板的熱能。 製程中只需靠電漿來進行裂化前驅物材料,無需高溫來傳遞必要的活化能。SYSKEY的系統可以精準的控制電漿與ALD的製程,薄膜的厚度和均勻度皆+/- 1%。
SONOS Memory / MOS Devices Demo
High-k Films for GaN Power Device
應用領域 | 腔體 |
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配置和優點 | 選件 |
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