反應離子蝕刻（RIE）中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，並具有重複性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。

因此，RIE製程是化學物理蝕刻製程，也是半導體製造中用於構造各種薄膜的最重要製程。SYSKEY的系統可以精準的控制製程氣體與電漿製程，並提供高品質的薄膜。

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應用領域	腔體
基礎電漿研究。 III-V族化合物半導體蝕刻（GaAsn，InP，GaN）。 Si，SiO2，SiNx 蝕刻。 微機電系統。 金屬與矽的蝕刻。	陽極電鍍處理鋁腔。 通過使用水冷系統、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。
配置和優點	選件
客製化的基板尺寸，最大直徑可達12寸晶圓。 單載片或多載片。 優異的薄膜均勻度小於±5％。 精準流量控制器，氣體分佈高度均勻，最多可容納6條氣體管線。 穩定的溫度控制，將載盤加熱至400°C或冷卻至-20°C。	渦輪分子幫浦。 蝕刻終點偵測（OES，激光）相容性。