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設備產品

超小型實驗線

 

 

 

為了因應快速的實驗和有限的空間,SYSKEY針對2吋玻璃和矽晶圓基板開發出極小型設備。Mini Line是用於小批量生產的實用製造系統。通過使得更容易生產少量的元件,這是研究人員期望的新型研究和開發,並且可實現少量的多樣化產品,而且其設備體積小不佔用空間。

對於SYSKEY的Mini Line系統,包含熱蒸鍍、濺鍍、電漿輔助式化學氣相沉積、電漿輔助式原子級沉積、乾蝕刻機、感應耦合電漿蝕刻、電子束蒸發,並可以精準的控制製程氣體與監控其數據(壓力、載台溫度),並提供高品質的薄膜。

 

 

 

 


 

Multi-Target Sputter Thermal Evaporation PECVD
  • 3個磁控濺鍍源
  • 1英吋的靶材
  • 優異的薄膜均勻度小於+/-3%
  • 具有順序操作或共沉積多個濺鍍源
  • 射頻、值流或脈衝直流用於不導電或導電的靶材
  • 載台最高可加溫至800oC
  • 3個蒸發源(金屬或有機)
  • 優異的薄膜均勻度小於+/-3%。
  • 具有順序操作或共沉積多個蒸發源
  • 載台最高可加溫至800oC

 

  • 主要沉積SiOx、SiNx與a-S薄膜
  • 優異的薄膜均勻度小於+/-3%
  • 穩定的溫度控制,可將載台加熱至400 oC
  • 電容耦合遠程電漿源

 

 

PEALD Reactive-Ion Etching Inductively Coupled Plasma Etching
  • 前驅物可增加為兩組。
  • 優異的薄膜均勻度小於+/-1%
  • 電容耦合遠程電漿源
  • 載台最高可加溫至400oC。
  • 使用材料有: Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, ZnO, AlN, TiN, Pt…。
  • 具有自動匹配的13.56MHz的射頻電源
  • 優異的薄膜均勻度小於+/-3%。
  • 精準流量控制器(最多6條氣體管線)
  • 穩定的溫度控制,將載台加熱至200°C或冷卻至-20°C
  • 蝕刻材料:III-V族化合物半導體、金屬、矽、光阻
  • 上方有ICP
  • 優異的薄膜均勻度小於+/-3%
  • 穩定的溫度控制,將載台加熱至200°C或冷卻至-20°C
  • 待蝕刻物下方具有氦氣冷卻之功能,並有助於非等向性蝕刻
  • 蝕刻材料:III-V族化合物半導體、金屬、矽、光阻

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