метод получения тонких плёнок материала его конденсационным осаждением из газовой фазы на поверхность подложки (англ. аббр. PVD - Physical Vapor Deposition). По этой технологии материал источника (мишени) подвергается воздействию аргонной или азотной плазмы, а подложки располагаются перед мишенью на соответствующем расстоянии. Положительно заряженные ионы, находящиеся в плазме магнитно-усиленного тлеющего разряда, бомбардируют мишень на очень высокой скорости, передавая свой импульс атомам материала. Эти частицы далее пересекают внутреннее пространство камеры от испарителя и осаждаются на поверхности подложки в виде тонкой плёнки материала. В зависимости от материала мишени настраивается и сама мощность испарителя (магнетрона), например, для токопроводящих материалов мишени используется низкочастотный (НЧ) источник питания, а для диэлектриков – высокочастотный (ВЧ).
 На сегодняшний день магнетронное напыление – краеугольный метод, повсеместно применяемый во многих областях полупроводниковой промышленности: изготовлении жидкокристаллических экранов, солнечных панелей и оптических устройств. Благодаря равномерности наносимых тонких плёнок и коммерческой эффективности при больших объёмах производства применяется чаще, чем традиционные методы расплавления материала мишени за счёт тепловой энергии.