Сверхвысокий вакуум (англ. аббр. UHV, ultra-high vacuum) характеризуется давлением в диапазоне ниже 10^-8 ~10^-12 Торр и часто применяется в прикладной химии, физике и машиностроении. Условия сверхвысокого вакуума очень важны для проведения научных исследований, так как зачастую опыты требуют поддержания поверхности подложки в свободном от любых загрязнений состоянии на протяжении всего рабочего процесса, а также используют низкоэнергетические электронные и ионные экспериментальные методы без влияния чрезмерного рассеивания осаждаемых из газовой фазы частниц. Система напыления в сверхвысоком вакууме SYSKEY – идеальный помощник в получении тонких плёнок высочайшего качества.

 

 

 

 

 

Конструкция механизма вращения подложки для сверхвысоковакуумного напыления и высокотемпературного нагрева. Используется керамический корпус, водяное охлаждение внутри для защиты механизма вращения и обеспечения его стабильной работы на долгое время.

 

Область применения	Вакуумная камера
Полупроводники. Нанотехнологии. Product QC & QA. Исследования оксидов, нитридов и металлов. Солнечные панели. Оптические исследования. Материаловедение.	Габаритные размеры камеры в зависимости от размеров подложек и области применения. Металлические уплотнения камеры и основание нагревателя разогреваются до 150 °С. Полнодиапазонный датчик вакуума с цифровым дисплеем и Баратрон для управления давлением в системе по замкнутому контуру. Предельный вакуум в камере около 10-10 Торр.
Конфигурации и преимущества	Опции
Различный размер подложек, диаметр до 300 мм. Отличная равномерность тонких плёнок, менее ±3%. Магнетрон (до 8 шт одновременно) с различными размерами мишеней. Несколько испарителей с последовательной работой или совместным напылением. ВЧ-, НЧ- или импульсные источники для диэлектриков и токопроводящих материалов. Напыление многослойных плёнок выбранными материалами мишеней. РРГ (до 4 газовых линий). Нагрев держателя подложек до 1000 °C. Регулируемое расстояние от мишени до подложки. Заслонки для каждой мишени или подложки.	Интеграция с другими вакуумными установками. Совмещение с ионным источником, тепловым источником, электронно-лучевой пушкой и пр. ВЧ- или НЧ-смещение для подложки. Мониторинг толщины. Очистка подложки ВЧ-плазмой. Запасной порт для OES, RGA или др. дополнительного мониторинга процесса.