ICP-CVD Химическое осаждение из газовой фазы с индуктивно-связанной плазмой (ICP-CVD) позволяет за счёт плазмы обеспечить дополнительную энергию для реакции осаждения. По сравнению с PECVD, ICP-CVD может осаждать различные пленки при более низкой температуре без ухудшения качества пленки. Использование ICP в качестве источника плазмы имеет преимущества более высокой концентрации плазмы, более низких энергетических потерь, более высокой мощности и более высокой скорости реакции. Установка производства Syskey контролирует подачу газа и в режиме реального времени записывает системные данные (давление, температуру подложки), что позволяет получать высококачественные тонкие пленки.

　　　　　3 D Graphene