感應耦合電漿化學氣相沉積設備

OLEDs / Display

OPV / Perovskite Solar-Cell

Semiconductors

Physical / Material research

ICP-CVD 感應耦合電漿化學氣相沉積（ICP-CVD）是一種使用ICP的化學氣相沉積技術，可為沉積反應提供一些能量。與PECVD方法相比，ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不會降低薄膜質量。因使用ICP做為電漿源，有電漿濃度較高、能量損耗較低、功率較大與反應速率較高等優點。

SYSKEY的ICP-CVD可以精準的控制製程氣體與監控其數據(壓力、載台溫度)，並提供高品質的薄膜。

　　　　　　3 D Graphene

應用領域	腔體
奈米碳管與石墨烯製程。 SiOx、SiNx、a-Si、DLC和其他薄膜製程。二維材料。醫療和商業產品的耐磨薄膜。	陽極電鍍處理鋁腔。通過使用水冷系統、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。
配置和優點	選件
客製化的基板尺寸，最大直徑可達12寸晶圓。腔體壓力：50~10^-3 Torr。精準流量控制器，氣體分佈高度均勻，最多可擴充10條氣體管線。穩定的溫度控制，將載盤加熱至700°C。使用Tornado ICP線圈，ICP電漿範圍為50W ~2000W，滿足客戶ICP-CVD製程需求。	可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。 RPS用於腔體清潔。橢圓偏振光譜儀。發射光譜儀。高真空傳送系統。